Página principal > Resultados de la búsqueda: Solid-state electronics
  Consejos para la búsqueda
Búsqueda avanzada
Buscar colecciones:
Ordenar por: Mostrar resultados: Formato de visualización:
Depósito Digital de Documentos de la UAB Encontrados 22 registros  1 - 10siguientefinal  ir al registro: La búsqueda tardó 0.00 segundos. 
1.
5 p, 2.8 MB Modeling and simulation of successive breakdown events in thin gate dielectrics using standard reliability growth models / Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Aguirre, Fernando Leonel (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Salvador, E. (Universitat Autònoma de Barcelona) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona)
The application of constant electrical stress to a metal-insulator-semiconductor (MOS) or metal-insulator-metal (MIM) structure can generate multiple breakdown events in the dielectric film. Very often, these events are detected as small jumps in the current-time characteristic of the device under test and can be treated from the stochastic viewpoint as a counting process. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108812
Solid-state electronics, Vol. 210 (December 2023) , art. 108812  
Registro completo - Creative Commons
2.
CMOS inverter performance degradation and its correlation with BTI, HCI and OFF state MOSFETs aging / Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nasarre Campo, Carles (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Garsot, N. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Barajas, Enrique (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Aragones, Xavier (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Mateo, Diego (Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, CMOS inverters are subjected to electrical stress emulating a complete operation cycle and the shifts in the performance parameters (i. e. , peak current and inversion voltage) evaluated. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108264
Solid-state electronics, Vol. 191 (May 2022) , art. 108264  
Registro completo - Creative Commons
3.
Impact of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs / Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108625
Solid-state electronics, Vol. 203 (May 2023) , art. 108625  
Registro completo - Creative Commons
4.
Comparison of OFF-State, HCI and BTI degradation in FDSOI Ω-gate NW-FETs / Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, R. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bernal, D. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the degradation of N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs caused by OFF-State stress under different conditions has been experimentally studied and compared with the effects of positive/negative BTI and HCI aging. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108324
Solid-state electronics, Vol. 194 (Aug. 2022) , art. 108324  
Registro completo - Creative Commons
5.
Resistive switching like-behavior in FD-SOI Ω-gate transistors / Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In this work, the Resistive switching (RS) phenomenon is experimentally investigated in N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs with high-k dielectric. The location along the channel of the conductive filament through the device dielectric during switching is analyzed. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108759
Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108759  
Registro completo - Creative Commons
6.
Exploitation of OTFTs variability for PUFs implementation and impact of aging / Claramunt, Sergi (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Palau, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Arnal Rus, August (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Porti i Pujal, Marc (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Ogier, Simon (SmartKem Ltd.) ; Ramon, Eloi (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Commercial Organic Thin Film Transistors (OTFT) have been characterized to evaluate their variability and reliability. The feasibility of implementing Physical Unclonable Functions (PUFs) based on these devices has been evaluated, taking advantage of the high variation in the electrical characteristics among different OTFTs. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108698
Solid-state electronics, Vol. 207 (Sep. 2023) , art. 108698  
Registro completo - Creative Commons
7.
Random Telegraph Noise and Bias Temperature Instabilities statistical characterization of Ω-gate FDSOI devices at low voltages / Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Amat Bertran, Esteve (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Random Telegraph Noise (RTN) and Bias Temperature Instabilities (BTI) are two mechanisms that can significantly reduce the performance and reliability of integrated circuits. In scaled devices, both phenomena are stochastic, so that a statistical analysis is required to accurately evaluate their impact on a particular technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108735
Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108735  
Registro completo - Creative Commons
8.
10 p, 8.6 MB Assessment of the variability of the I-V characteristic of HfO2-based resistive switching devices and its simulation using the quasi-static memdiode model / Salvador Aguilera, Emili (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Bargallo Gonzalez, Mireia (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Martin-Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Rodriguez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Variability of the conduction characteristics of filamentary-type resistive switching devices or resistive RAMs (RRAMs) is a hot research topic both in academia and industry because it is currently considered one of the major showstoppers for the successful development and application of this technology. [...]
2023 - 10.1016/j.sse.2023.108667
Solid-state electronics, Vol. 206 (August 2023) , art. 108667  
Registro completo - Creative Commons
9.
10 p, 6.2 MB SPICE model for complementary resistive switching devices based on anti-serially connected quasi-static memdiodes / Saludes-Tapia, Mercedes (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Gonzalez, Mireia Bargallo (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Campabadal, Francesca (Institut de Microelectrònica de Barcelona) ; Suñé, Jordi 1963- (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Miranda, Enrique (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
This paper reports the use of the Quasi-static Memdiode Model (QMM) for simulating Complementary Resistive Switching (CRS) devices. CRS arises from the anti-serial connection of two memristors and it is used for generating low and high-resistance regions in the I-V characteristic with the aim of mitigating the sneak-path conduction problem in crossbar arrays. [...]
2022 - 10.1016/j.sse.2022.108312
Solid-state electronics, Vol. 194 (August 2022) , art. 108312  
Registro completo - Creative Commons
10.
5 p, 521.8 KB Unified RTN and BTI statistical compact modeling from a defect-centric perspective / Pedreira Rincon, Gerard (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Saraza-Canflanca, Pablo (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Castro-Lopez, Rafael (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica) ; Roca, Elisenda (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Fernandez, Francisco V. (Instituto de Microelectrónica de Sevilla) ; Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
In nowadays deeply scaled CMOS technologies, time-dependent variability effects have become important concerns for analog and digital circuit design. Transistor parameter shifts caused by Bias Temperature Instability and Random Telegraph Noise phenomena can lead to deviations of the circuit performance or even to its fatal failure. [...]
2021 - 10.1016/j.sse.2021.108112
Solid-state electronics, Vol. 185 (November 2021) , p. 108112  
Registro completo - Creative Commons

Depósito Digital de Documentos de la UAB : Encontrados 22 registros   1 - 10siguientefinal  ir al registro:
¿Le interesa recibir alertas sobre nuevos resultados de esta búsqueda?
Defina una alerta personal vía correo electrónico o subscríbase al canal RSS.
Depósito Digital de Documentos de la UAB :: Buscar :: Enviar :: Personalizar :: Ayuda
Powered by Invenio v1.1.6
Mantenido por ddd.bib@uab.cat  :: Metadatos sujetos a:
Colaboramos